US-amerikanischer Physiker und Nobelpreisträger (1902-1987). Portraitphotographie mit eigenh. Unterschrift. ohne Ort und Jahr. 125 : 177 mm.
$ 474 / 400 €
(102225)
Brustbild nach 1/2-rechts. - Brattain beschäftigte sich vorwiegend mit den Oberflächeneigenschaften von Festkörpern. Nach ersten Untersuchungen an Wolfram galt sein Interesse vor allem Oberflächeneffekten an Halbleitern wie Silicium und Germanium, zu deren besserem Verständnis er wesentliche Beiträge lieferte. Zusammen mit John Bardeen entwickelte er den Punktkontakttransistor. Brattain erhielt 1956 zusammen mit William B. Shockley und John Bardeen den Nobelpreis für Physik „für ihre Untersuchungen über Halbleiter und ihre Entdeckung des Transistoreffekts“.
US-amerikanischer Physiker und Nobelpreisträger (1902-1987). Eigenh. Unterschrift auf Albumblatt. Tri Cities, WA. Quer-kl.-8vo. 1 p. Postgelaufen.
$ 95 / 80 €
(100184)
Brattain beschäftigte sich vorwiegend mit den Oberflächeneigenschaften von Festkörpern. Nach ersten Untersuchungen an Wolfram galt sein Interesse vor allem Oberflächeneffekten an Halbleitern wie Silicium und Germanium, zu deren besserem Verständnis er wesentliche Beiträge lieferte. Zusammen mit John Bardeen entwickelte er den Punktkontakttransistor. Brattain erhielt 1956 zusammen mit William B. Shockley und John Bardeen den Nobelpreis für Physik „für ihre Untersuchungen über Halbleiter und ihre Entdeckung des Transistoreffekts“.
US-amerikanischer Physiker und Nobelpreisträger (1902-1987). Portraitphotographie mit eigenh. Unterschrift. ohne Ort und Datum. 130 : 180 mm.
$ 474 / 400 €
(100185)
Brustbild von vorn. - Brattain beschäftigte sich vorwiegend mit den Oberflächeneigenschaften von Festkörpern. Nach ersten Untersuchungen an Wolfram galt sein Interesse vor allem Oberflächeneffekten an Halbleitern wie Silicium und Germanium, zu deren besserem Verständnis er wesentliche Beiträge lieferte. Zusammen mit John Bardeen entwickelte er den Punktkontakttransistor. Brattain erhielt 1956 zusammen mit William B. Shockley und John Bardeen den Nobelpreis für Physik „für ihre Untersuchungen über Halbleiter und ihre Entdeckung des Transistoreffekts“.